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IRFIZ46N
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
55
––– ––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.017 ––– V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
––– 0.020
?
V GS = 10V, I D = 19A ?
43 ––– R G = 12 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
16
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– ––– S V DS = 25V, I D = 28A ?
––– 25 V DS = 55V, V GS = 0V
μA
––– 250 V DS = 44V, V GS = 0V, T J = 150°C
––– 100 V GS = 20V
nA
––– -100 V GS = -20V
––– 61 I D = 28A
––– 13 nC V DS = 44V
––– 24 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ??
12 ––– V DD = 28V
80 ––– I D = 28A
ns
52 ––– R D = 0.98 ?, See Fig. 10 ??
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
––––––
4.5
7.5
–––
– – – – – –
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
––– 450 ––– V DS = 25V
C iss
C oss
C rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
––– 1500 ––– V GS = 0V
pF
––– 160 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
––– 12 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
(Body Diode)
–––
–––
33
A
MOSFET symbol
showing the
D
I SM
V SD
t rr
Q rr
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
72
210
180
1.3
110
310
V
ns
nC
integral reverse
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = 19A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = 28A
di/dt = 100A/μs ??
G
S
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? I SD ≤ 28A, di/dt ≤ 240A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? t=60s, ?=60Hz
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 410μH
R G = 25 ? , I AS = 28A. (See Figure 12)
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Uses IRFZ46N data and test conditions
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